عادةً ما تتراوح درجة حرارة البولي سيليكون في الترسيب الكيميائي للبولي سيليكون في الترسيب الكيميائي منخفض الضغط (LPCVD) من 600 درجة مئوية إلى 650 درجة مئوية تقريبًا. ويعد نطاق درجة الحرارة هذا مناسباً لترسيب أغشية البولي سيليكون عالية الجودة، والتي تعتبر ضرورية لملامسات البوابات في أجهزة أشباه الموصلات.
الشرح:
-
نظرة عامة على عملية LPCVD:
-
تقنية LPCVD هي طريقة مستخدمة في صناعة أشباه الموصلات لترسيب الأغشية الرقيقة من مواد مثل البولي سيليكون ونتريد السيليكون وثاني أكسيد السيليكون. تعمل هذه العملية تحت ضغوط منخفضة، عادةً أقل من 133 باسكال، مما يعزز انتشار الغازات المتفاعلة ويحسن من انتظام ترسيب الأغشية عبر الركيزة.درجة الحرارة في LPCVD:
-
درجة الحرارة في عمليات LPCVD هي معلمة حاسمة تؤثر على جودة وخصائص الأفلام المودعة. بالنسبة للبولي سيليكون، يتم الترسيب عادةً في درجات حرارة تتراوح بين 600 درجة مئوية و650 درجة مئوية. ويضمن نطاق درجة الحرارة هذا أن يكون لفيلم البولي سيليكون تغطية جيدة على مراحل، ونقاء عالٍ، وخصائص كهربائية ممتازة.
-
تأثير درجة الحرارة على ترسيب البولي سيليكون:
-
في نطاق درجة الحرارة المحددة، تخضع الغازات المتفاعلة المستخدمة في عملية LPCVD (مثل السيلان أو ثنائي كلورو السيليكون) للتحلل الحراري، مما يؤدي إلى ترسيب البولي سيليكون على الركيزة. تساعد درجة الحرارة المرتفعة في تحقيق معدل ترسيب مرتفع وتضمن أن يكون فيلم البولي سيليكون كثيفًا وخاليًا من العيوب.مقارنة مع عمليات LPCVD الأخرى:
في حين يتم ترسيب البولي سيليكون عند درجة حرارة تتراوح بين 600 و650 درجة مئوية تقريبًا، قد تتطلب مواد أخرى مثل ثاني أكسيد السيليكون ونتريد السيليكون درجات حرارة مختلفة. على سبيل المثال، يمكن ترسيب ثاني أكسيد السيليكون عند حوالي 650 درجة مئوية، ونتريد السيليكون عند درجات حرارة أعلى تصل إلى 740 درجة مئوية. هذه الاختلافات في درجات الحرارة مصممة خصيصًا للتفاعلات الكيميائية المحددة المطلوبة لترسيب كل مادة.